HEMT

Transistor linh động điện tử cao hay HEMT (High-electron-mobility transistor), hay FET dị thể (HFET), hay transistor pha điều chế MODFET (modulation-doped FET), là một loại transistor hiệu ứng trường trong đó kết hợp tiếp giáp giữa hai loại vật liệu thuộc khe băng (band gap) khác nhau (tức là tiếp giáp dị thể).

Nó khác với MOSFET về vùng pha tạp. Vật liệu thường dùng là kết hợp GaAs với AlGaAs ở mức độ khác nhau, tùy theo ứng dụng của linh kiện. Linh kiện kết hợp với indi thì cho ra đặc trưng tần số tốt hơn. Những năm gần đây HEMT với kết hợp nitrit galli thì làm việc ở công suất lớn.

HEMT làm việc ở tần cao, băng sóng milimet, được dùng trong các sản phẩm cao tần: điện thoại di động, máy thu truyền hình vệ tinh, bộ chuyển đổi điện áp, linh kiện radar.^[1]

Phát minh sửa

Phát minh HEMT thường được gắn với Takashi Mimura (三村高志) (Fujitsu, Nhật Bản)^[2]. Ở Mỹ, Ray Dingle và các đồng nghiệp tại Bell Laboratories đóng vai trò quan trọng trong việc phát minh ra HEMT. Tại châu Âu, Daniel Delagebeaudeuf và Trọng Linh Nguyen từ Thomson-CSF (Pháp) đã đệ đơn xin cấp bằng sáng chế linh kiện này vào ngày 28 tháng 3 năm 1979.

Nguyên lý hoạt động sửa

Các biến thể sửa

pHEMT sửa

mHEMT sửa

HEMT cảm ứng sửa

Ứng dụng sửa

Tham khảo sửa

^ Northrop Grumman sets record with terahertz IC amplifier. semiconductor-today, 2014. Truy cập 01 Apr 2015.
^ Takashi Mimura. The Early History of the High Electron Mobility Transistor (HEMT). IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 50, No. 3, March 2002.

Xem thêm sửa

Liên kết ngoài sửa

Bài viết này vẫn còn sơ khai. Bạn có thể giúp Wikipedia mở rộng nội dung để bài được hoàn chỉnh hơn.

[1] Northrop Grumman sets record with terahertz IC amplifier. semiconductor-today, 2014. Truy cập 01 Apr 2015.

[2] Takashi Mimura. The Early History of the High Electron Mobility Transistor (HEMT). IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 50, No. 3, March 2002.

[1]

[2]